三星量产第二代10奈米DDR4 DRAM

2017-12-27 09:25:18 post by microhm

三星电子(Samsung Electronics)宣布量产其第二代10奈米等级8Gb DDR4 DRAM,该元件速度号称可达3,600 Mbps,而且不须使用极紫外光(EUV)技术。标示为10奈米等级的元件特征尺寸为10~19奈米。


三星记忆体事业部门总裁Gyoyoung Jin在该公司新闻声明中指出,其第二代DDR4 DRAM的电路设计与制程新技术,让该公司突破了「DRAM扩展性的主要障碍」,以迎合市场庞大需求;他并指出,三星将加速此新产品的量产,同时也积极扩大第一代DDR4 DRAM的产量。


由于供不应求,DRAM晶片市场在今年一整年皆表现强劲,价格亦持续上扬;市场研究机构IC Insights预期,2017年DRAM市场将达到74%的成长率,是自1994年以来的最大成长幅度。


三星计划在2018年的7奈米节点制程转向采用EUV技术,不过EUV应用于DRAM量产的时程尚未明确;因为DRAM单元的结构相对简单,业界普遍认为DRAM生产需要用到EUV的时间点,会比其他元件来得迟。


三星表示,该公司生产的第二代10奈米等级DRAM因为采用了更先进的技术,可在速度、性能、效益方面超越第一代元件;新技术包括高敏感度的单元资料感测系统( cell data sensing system)以及进步的「空气间隔」(air spacer)解决方案。


根据三星的介绍,该资料感测系统能实现更精准确定每个记忆体单元内储存的资料,提升电路整合度以及制造生产力;同时新一代元件在字元线(bit lines)周遭放置了空气间隔,可降低寄生电容,达到更高等级的微缩以及快速的单元运作。


三星表示,其第二代10奈米8Gb DRAM的生产力能比第一代提升30%,同时在性能与省电效益方面各有15%与10%的提升;新元件运作速度为每接脚3,600 Mbps,在2016年生产的第一代晶片运作速度则为3,200 Mbps。


此外三星也指出,在第二代10奈米等级DRAM所采用的创新技术,将让该公司能加速未来DRAM晶片的问世,包括DDR5、HBM3、LPDDR5与GDDR6。


编译:Judith Cheng

(参考原文: Samsung in Production of Second-gen 10nm DRAM,by Dylan McGrath)


文章来源:EET 电子工程专辑


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