插件电阻和MOS晶体管有非常重要的设计意义

来源：万利隆电子人气：发布时间：2021-04-02

插件电阻和MOS晶体管经常应用于各种电路设计，目前基于设计电荷表的EKV MOS晶体管模型的发展大大改善了这种情况。与基于行业标准阈值电压的BSIM模型不同，EKV模型定义MOS器件的参数依赖于反转能级的连续范围。EKV模型还引入了所谓的gm/ID设计方法，这种方法可以实现简单而准确的手工计算，直接的晶体管尺寸和完全独立的技术。在电路中，定义了反转能级，也称为MOS结构的反转系数(IC)。

插件电阻和MOS晶体管对于很多产品都有非常重要的设计意义，在vg电压MOS晶体管的栅极和源终端之间,VTH MOS晶体管的阈值电压,n是所谓的亚阈值斜率因子,UT玻耳兹曼的热电压25.86 mV在室温下,W是金属氧化物半导体晶体管通道宽度,L是金属氧化物半导体晶体管通道长度,和Ispecific技术具体,现在当一个正方形金属氧化物半导体设备(W = L)是在反演范围IC = 1。当IC = 1时，也决定了漏极扩散电流等于漏极漂移电流的条件。跨导效率- gm/ID作为IC函数的插值依赖性由式(2)定义。由于它是完全与技术无关的，所以它代表了非常强大的公式。此外，它可以很容易地实现到电子表格，引入自动计算和晶体管尺寸。

插件电阻和MOS晶体管控制的反演系数IC的依赖关系。IC≤0.1的区域为亚阈值运算区域，也称为弱反演。在这些条件下工作的MOS晶体管表现出高电压增益、低漏极电流、低饱和电压，但为了补偿低跨导和非常低的截止频率，晶体管尺寸也很大。当反转系数变为IC≥10时，MOS器件工作在强反转或阈值电压以上，即传统的工作条件。MOS晶体管可以处理高频率的信号，不需要太多的硅面积。然而，增益降低，漏极电流增加。弱反转和强反转(0.1≤IC≥10)之间的区域描述了这两种状态之间的平滑过渡。它通常被称为中度反转，它代表了晶体管和电路参数之间的很好的平衡。此外，现代纳米级CMOS技术在较低的电源电压下工作，随着电压净空降低和阈值电压水平随时间保持相当稳定，晶体管操作将转移到中度反转。

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