薄膜磁敏电阻有一个可变的电阻，这取决于磁场强度。薄膜磁敏电阻可以用来测量磁场的存在、强度和方向。薄膜磁敏电阻也被称为磁相关电阻(MDR)。薄膜磁敏电阻是磁场传感器或磁力仪的一个亚科。当外加磁场作用时电阻发生变化的电阻。
磁阻电阻利用了磁阻效应，这种效应在铁磁材料中是注意到的，取决于磁场强度和电流方向与磁场之间的角度。因此，这种效应被称为各向异性薄膜磁敏电阻(AMR)。另外，最近发现的磁阻效应有巨磁阻效应磁阻效应和隧道磁阻效应。因为大多数传统的薄膜磁敏电阻利用AMR效应。
薄膜磁敏电阻生产材料是一种由81%的镍(Ni)和19%的铁(Fe)组成的合金，具有高的各向异性薄膜磁敏电阻和低的磁致伸缩(由于磁场而改变大小)，因此是薄膜磁敏电阻的首选材料。
薄膜磁敏电阻通常是由长而薄的永久薄膜构成的。为了提高永久型薄膜磁敏电阻的灵敏度，铝或金的短路条被放置在45度角下的永久型薄膜上。这就迫使电流向与薄膜长度成45度角的方向流动。这被称为理发杆结构。一个典型的薄膜磁敏电阻传感器是由4个薄膜薄膜磁敏电阻组成的，连接在测量电桥上。
薄膜磁敏电阻的应用地方有许多中，各种各样的应用是可能的磁场感应设备，应用包括:电子罗盘测磁，测量磁场强度和方向位置传感器，角位置传感器，旋转传感器位置，线性位置传感器，黑色金属检测，车辆及交通侦测等方面都有非常好的使用。
