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MOSFET高负载系数最大电阻耗散

文章来源:万利隆电子 阅读次数:发布时间:2019-07-09
MOSFET与电子电路中的许多器件都有着密切的关于,尤其是在电路中的精密电阻器、电容、三极管和二极管之类的电子元器件,在许多情况下电路中使用精密电阻进行电流检测或者电压采样,同时精密电阻器在电子电路中对电压和电流进行分压分流。MOSFET使用时候通常结合电路中进行精密电阻器使用,因为MOSFET高负载系数时候,存在最大电阻耗散。
MOSFET与电子电路
在很多情况MOSFET的正常工作,在电路中与精密电阻器、电容、三极管和二极管电子元器件一同构成一个完整的电路关系,但是MOSFET最坏情况下功率耗散将出现在最小或最大输入电压处。MOSFET耗散为两个函数的和:在VIN(MIN),在较高的负载系数处达到最大的电阻耗散,和在VIN(MAX)处达到最大的开关耗散。最理想的选择略等于在VIN极值的耗散,它平衡了VIN范围内的电阻耗散和开关耗散。
 
此外晶体管中的开关损耗,开关晶体管的导通电阻,开关电源电感器和电容器中的等效串联电阻,以及电感器中的磁芯损耗,以及整流器电压降有于典型的效率为60-70%。然而,通过优化SMPS设计,可以比较大的限度地减少功率损耗和热量; 一个好的设计可以有的效率。
 
MOSFET与电子电路
 
不受管制可能只是一个二极管和电容器; 调节有一个电压调节电路和一个噪声滤波电容器; 通常比开关模式电路比较简单的电路。由控制器IC,一个或多个功率晶体管和二管以及电源变压器,电感器和滤波电容器组成。在线性稳压器电路中没有出现一些设计复杂性。
 
精密电阻器在很多电路设计中都进行使用,在电路设计中与MOSFET、电容、三极管和二极管等电子元器件产品相互结合使用,在电路中进行电阻串联、并联使用,实现精密电阻对电路中的电压的分压和对电流进行采样作用。在许多逆变器产品中,MOSFET与精密电阻器构成的电路为整个逆变器系统提供稳定电路基础。
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