电阻器生产一般都会采用最新工艺,目前很多电阻器都采用纳米技术进行生产,对纳米级技术中有效适用于超低电压和低功耗模拟集成电路的主要挑战和设计技术进行概述。新的设计挑战和限制与电源电压的低值,过程波动,设备失配,和其他影响被讨论。在本章的后半部分,将介绍针对超低电压系统和应用设计模拟集成电路的常规和非常规设计技术(体积驱动方法、浮栅、动态阈值等)。在标准CMOS技术...
发布时间:2021-04-01      [查看详情+]厚膜电阻在高压脉冲应力前后归一化噪声幅值B0/I2。与拟合参数B0相反,归一化后的噪声振幅无量纲化。出的数据类似,1/f噪声在应用高压处理时增加了大约一个数量级。在进行拟合程序后,厚膜电阻在金属涂膜单元的绝缘层中存在陷阱引起的波动所引起的洛伦兹项可以观察到电流噪声谱的轻微弯曲。尽管被1/f噪声掩盖,洛伦兹项影响了测量值和理论关系的一致性。高压脉冲应力前后的电流噪声谱分析...
发布时间:2021-03-31      [查看详情+]精密电阻实现使用成分表中值的抗性表现出初始阻力,初始阻力减少随后的重大阻力增加在高电压脉冲压力。脉冲振幅较低导致阻力减少由于导电机制的变化,通过导电粒子和烧结金属导电接触和隧道通过玻璃壁垒。高压处理会影响相邻导电粒子之间的薄玻璃层中陷阱捕获的电荷,或者由于燃烧过程中绝缘层中引入的杂质,陷阱浓度会增加。此外,精密电阻由于单链从非导电状态转变为导电状态,可能...
发布时间:2021-03-30      [查看详情+]在电阻组成与中等精密薄膜电阻的情况下,传导结合了隧道穿越玻璃屏障和金属传导。精密薄膜电阻的变化会导致阻值的降低,随之而来的是宏观结构变化引起的阻值的增加,类似于在低片电阻组成中观察到的变化。GF值是稳定的,直到在宏观结构水平上发生退化,并遵循阻力变化曲线的形状。精密薄膜电阻噪声指标值是非常敏感的,可以记录应变厚膜电阻的微观和宏观结构退化。给出了机械和电气同...
发布时间:2021-03-29      [查看详情+]目前的微型化趋势和在敏感电信设备中,精密厚膜电阻的持续使用导致了究其在各种应变条件下的可靠性的需要。大多数已发表的数据处理的是机械应变对这些复杂非均匀系统性能的影响,利用精密厚电阻膜中的压阻效应实现应变片。另一方面,尽管在电阻实现、检测和应用的所有阶段都可能发生机械应变,但标准厚电阻薄膜在不必要的机械应变下的性能还没有得到充分的分析。 在高压脉冲应力的情...
发布时间:2021-03-26      [查看详情+]高精度电阻对很多精密电路来说非常重要,可以进行高精度进行电路电流控制。日常生活中我们经常可以使用到很多东西都需要电路程序进行控制,尤其是在很多智能家居产品上有很多应用程序由电路进行控制,这时候就需要很多高精密电阻器使用。高精度电阻电路的第二部分是程序的主要部分。因为程序1只是一个例子,所以主要的程序只是由SJMP组成,即SJMP 在旋转。为了真正使用这条第14行是根据系...
发布时间:2021-03-23      [查看详情+]精密贴片电阻设计的电路在电容器C6将重新充电,然后电解电容c上的电压将从Q2晶体管基地产生低输出时上升,蜂鸣器将关闭。所以长期活跃的蜂鸣器是由长时间的放电决定的电容器的放电是C6和精密贴片电阻。但如果蜂鸣器想要一直活动到SW1关闭,那么跳JP3就可以连接。连接的JP3将迫使输入pin 3 I电解电容b的电压下降,这样蜂鸣器就会继续蜂鸣声,即使LDR已经没有光线了。当JP3跳线没有连接时,蜂鸣器...
发布时间:2021-03-22      [查看详情+]精密绕线电阻器应与晶体管基地阻抗,这样接收的载波电压将在0.2到45 Vpp之间变化,而在晶体管A基地上的晶体管A电压在12mV到2.6v之间。这里使用的晶体管包括LM3046,其中包括5个晶体管。晶体管A-晶体管D作为放大器输出的同时作为边界波对称性的盒子7Vpp。这些输出首先被压缩到1Vpp,然后直接连接到LM565上的峰值检测器。PLL操作起来就像一个狭窄的波段滤波器,在输入信号上运行,并对输出调制信号和高...
发布时间:2021-03-19      [查看详情+]Copyright©Microhm.com    版权所有