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: MICROHM恭贺大家2025年蛇年大吉!

值此新春佳节来临之际，MICROHM在此感谢每一位客户的支持，信任与理解！期待未来与您们更加紧密地合作，携手共创事业新天地！也恭祝大家蛇年新禧，祥福并济，喜气运气，绵绵不息，诸事顺利，财运亨通，平安吉祥！ ...
发布时间：2025-01-24 [查看详情+]

: MICROHM访问日本东京工业大学

2019年7月9日，MICROHM与香港深圳联合科技考察团一同访问位于东京都的东京工业大学，东京工业大学（Tokyo Institute of Technology）是一所顶尖的国立科技大学，有着130多年的历史。在Ookayama, Suzukakedai和Tamachi校区的大约10,000名学生中。东京工业大学（Tokyo Institute of Technology）在日本理工科大学之最。校区位于东京都目黑区与横浜市绿区，东京工业大学在工程技术与自然科学上是日本顶尖、世界一流的理工科...
发布时间：2019-07-10 [查看详情+]

: 精密插件电阻在很多设计芯片电路上都可以使用

精密插件电阻用途非常广泛，在很多设计芯片电路上都可以使用到这种电阻器。目前在VGA、电压比较器和电荷泵的选择参数包含测量结果和模拟结果，精密插件电阻在原型芯片上测量并模拟所提出的电路拓扑参数。VGA频率响应，b比较器传输特性，c电荷泵效率。所设计VGA的频率响应的模拟数据和实测数据的比较。使用蒙特卡罗分析结果来获得预期增益范围的边界。可以观察到，所测得的频响保持在模拟...
发布时间：2021-04-08 [查看详情+]

: 贴片电阻器和MOS晶体管是低压集成电路设计中常用元器件

贴片电阻器可以在标准CMOS技术中使用的低压设计技术和方法的调查没有额外的过程步骤被提出。一般来说，低压设计技术可分为两大类:传统方法和非常规方法。非常规方法包括体积驱动BD方法、动态阈值技术、浮门方法、准浮门方法和体积驱动准浮门方法。然而，只有采用体积驱动和动态阈值方法设计的电路可以在标准CMOS技术中实现，而无需修改制造工艺。另一方面，传统的电路技术，如轨到轨输入...
发布时间：2021-04-08 [查看详情+]

: 金属箔电阻器应用在CMOS逆变器中有哪些用途

金属箔电阻器是一种常用电路半导体，金属箔电阻器在很多动态阈值逆变器拓扑图可以被认为是一种适合的超低功耗和低压电荷泵设计的建筑单元。对于这样的系统，一个非常重要的设计考虑因素是不可避免的双阱CMOS制造工艺，因为PMOS和NMOS器件都需要通过各自的阱与共同衬底隔离。金属箔电阻器使用另一个需要考虑的问题是电源电压的限制。其电平不能超过0.6 V室温下。否则寄生的NPN和PNP双极晶体管...
发布时间：2021-04-08 [查看详情+]

: 贴片电阻和晶体管适用于低压和低频应用

贴片电阻和晶体管是常用的电子元器件，贴片电阻和晶体管在BD差分放大器是另一种广泛且经常实现的电路拓扑图，但是，在大容量驱动配置中。电子器件M1和M2的栅端子与最低电位相连，以保证最高可能的倒置水平。传统的差分放大器拓扑结构由于需要超过输入对阈值电压和偏置高侧晶体管的最小饱和电压而受到输入共模范围VCM的限制。VCM电压范围如式所示。贴片电阻和晶体管在输入BD晶体管用于获得...
发布时间：2021-04-07 [查看详情+]

: 功率电阻在VGA电压增益电路上有哪些作用

一般来说功率电阻在很多电源设备上是常用的产品，功率电阻经常可以使用在一些电压增益电路上，列如整个VGA电压增益可以通过调节总电导或总输出阻抗来控制。因此，采用M5和M6晶体管来控制VGA增益。控制电压VCTRL的改变调节了通过输入器件M1和M2的电流，最终改变了它们的有效跨导。实际上，这将改变第一级的电压放大，这将导致拟议VGA的总体增益的修改。VGA电压总增益与增益控制器件gm5和gm6的跨...
发布时间：2021-04-07 [查看详情+]

: 精密功率电阻器在应用特低压比较器模拟核

精密功率电阻器在应用特低压比较器模拟核输入PMOS器件Min+和Min作为电流源。精密功率电阻器根据式流过输入支路的静态电流受到输入电压的调制。由于跨导几乎是理想恒定的，所以整个输入电压范围内的电压到电流转换是以高度线性的方式进行的。输入支路的电流随后通过M1-M10器件组成的统一电流镜像系统进行复制。差电压是通过电流到电压的转换在名为diff和diff的节点中产生的，差分信号由数字块...
发布时间：2021-04-07 [查看详情+]

: 精密电阻在集成电路设计中应用最广泛的电路结构

精密电阻在集成电路设计中应用最广泛的电路结构之一，可以说是电流反射镜(CM)。该电路为二端口电路，对输入电流IREF进行处理，根据公式生成输出电流IOUT，其中k为放大(或镜像)系数。描述了一个简单CM的BD配置。显然，使用体积驱动晶体管可以设计更复杂的CM结构。两个MOS器件M1和M2的散装端子连接在一起并连接到输入支路。栅极端子由静态电压Vbias偏置。在输入端，电压降VBS是由输入参考电流流产生...
发布时间：2021-04-02 [查看详情+]

: 插件电阻和MOS晶体管有非常重要的设计意义

插件电阻和MOS晶体管经常应用于各种电路设计，目前基于设计电荷表的EKV MOS晶体管模型的发展大大改善了这种情况。与基于行业标准阈值电压的BSIM模型不同，EKV模型定义MOS器件的参数依赖于反转能级的连续范围。EKV模型还引入了所谓的gm/ID设计方法，这种方法可以实现简单而准确的手工计算，直接的晶体管尺寸和完全独立的技术。在电路中，定义了反转能级，也称为MOS结构的反转系数(IC)。插件电阻和...
发布时间：2021-04-02 [查看详情+]

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